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        PECVD設備

        應用于邏輯和存儲芯片制造

        盛美上海的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備可應用于SiO2, SiNx, Carbon,NDC薄膜沉積工藝, 未來可以擴展至單片式PEALD薄膜沉積工藝進行平臺化擴展。

        PECVD設備

          

        主要優勢

        配置了具有自主知識產權的腔體設計和單腔體多加熱盤布局

        配置了特殊的氣體分配裝置和卡盤設計

        針對薄膜疊層的變換可以提供更好的薄膜均勻性,更優的薄膜應力和更少的顆粒特性

        兼顧高產能要求每個腔體都安裝有多個加熱盤

        靈活配置腔體數量兼顧不同產能要求

        自主開發的控制軟件能夠靈活配置滿足相應需求

        獨特設計的真空機械手臂匹配腔體多加熱盤晶圓存取規則

        工藝溫度兼容200C到650C的各種PECVD沉積薄膜要求


        特性和規格

        可適用于300mm晶圓各種薄膜沉積需求

        該設備采用單腔體模塊化設計,有兩種配置:
            一種是可配置一至三腔體模塊,適用于沉積比較薄的薄膜兼顧產能大小
            一種是可配置四至五腔體模塊,適用于沉積比較厚的薄膜兼容長臂真空機械手臂