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        電鍍設備

        應用于化合物半導體制造

        盛美上海的該電鍍設備支持化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔工藝中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。

        電鍍設備

          
        該設備集成了預濕和后清洗腔,支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料,以及重分布層 (RDL) 和凸點下金屬化 (UBM) 工藝。

        主要優勢

        兼容6吋以及8吋平臺

        水平式電鍍,無交叉污染

        真空下正面噴淋式預濕腔體

        第二陽極技術Flat 區域高度可控

        模塊化設計


        特性和規格

        可配置2個Open Cassette

        晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

        可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Cu,Ni, SnAg等

        設備尺寸:1850x4150x2450 mm

        Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

        工藝性能:
            片內均勻性:<5% (3 sigma)
            片間均勻性:< 3%
            重復性:< 3%


         

        該設備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝,集成預濕和后清洗腔。設備采用盛美上海久經考驗的柵板技術進行深孔電鍍,以提高階梯覆蓋率。

        主要優勢

        兼容6吋以及8吋平臺

        水平式電鍍,無交叉污染

        腔體氛圍氮氣保護

        真空下正面噴淋式預濕腔體

        第二陽極技術Flat 區域高度可控

        模塊化設計

        適用于Au 凸塊, Au薄膜, Au 深孔電鍍

        良好的深孔臺階覆蓋性能


        特性和規格

        可配置2個Open Cassette及1個真空手臂

        晶圓尺寸: 150mm, 159mm, 200mm

        可配置預濕腔體、清洗腔體及電鍍腔體Au

        設備尺寸:1850x3850x2450 mm

        Pillar/Solder: Cu+Ni+SnAg, TSV

        工藝性能:
            片內均勻性:<5% (3 sigma)
            片間均勻性:< 3%
            重復性: <3%