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        單晶圓清洗設備

        應用于先進集成電路制造,包括邏輯電路,存儲器以及功率器件制造

        盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應用于先進集成電路制造中多種前段工藝(FEOL)和后段工藝(BEOL),可跟據不同應用配備不同化學藥液與輔助清洗方式,也可應用于晶圓制造、MEMS制造,以及功率器件制造領域。

        單晶圓清洗設備

        應用領域

        • 沉積前清洗

        • 蝕刻后清洗

        • CMP后清洗

        • RCA標準清洗

        • W Loop后清洗

        • Cu Loop后清洗

        • 去除BEOL聚合物

        • 深層Trench/Via清洗

        • 薄膜去除

        • TSV后清洗

        • EPI前清洗

        • ALD前清洗

         




        主要優勢和特性規格(Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI)

        可配8腔體,12腔體和18腔體,產能可達225片/小時,375片/小時和800片/小時

        具有雙面清洗的能力,最多可配至5種清洗藥液,如:DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液;集成式藥液供給模塊

        最多可回收2種藥液,低COO

        可選配常溫IPA或者高溫IPA增強型干燥技術

        可選配氮氣霧化DIW二流體清洗或氮氣霧化SC1二流體清洗來輔助去除顆粒雜質

        可選配盛美研發的SAPS兆聲波技術進行平坦表面或深孔結構中的濕法清洗

        可選配盛美研發的TEBO兆聲波技術對圖形片來進行高效無損傷清洗

        設備尺寸:Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (寬×長×高)